NEWS / AMD mit neuartiger Transistorentwicklung

19.09.2003 06:30 Uhr

Forscher von AMD haben auf der International Conference on Solid State Devices and Materials in Tokio Einzelheiten einer neuen Triple-Gate Transistorentwicklung präsentiert, die auf Silicon-on-Insulator-Technologie (SOI) sowie auf die Metal-Gate-Technologie zurückgreift. AMD´s Transistorentwicklung erzielt gegenüber bisher veröffentlichten Forschungen an Multi-Gate-Transistoren eine um bis zu 50 Prozent höhere Leistung und übertrifft damit die von der (ITRS) für 2009 definierten Anforderungen. AMD geht von einer Serienproduktion ab 2007 aus.

"Bei AMD´s neuster Entwicklung ist ein einzigartiger, ultradünner und in Fully Depleted Silicon-on-Insulator-Technologie (FDSOI) realisierter elektrischer Pfad an drei Seiten von Metal-Gates aus Nickel-Silicide umgeben. Diese Kombination aus FDSOITechnologie und Nickel-Silicide Metal-Gates sorgt für eine Streckung des Siliziumgitters innerhalb des elektrischen Pfads und verbessert so die Mobilität der Ladungsträger..."

Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

#AMD 

T-FORCE XTREEM DDR5-8000 Desktop Black
T-FORCE XTREEM DDR5-8000 Desktop Black
T-FORCE XTREEM DDR5-8000

Mit dem T-FORCE XTREEM bietet TEAMGROUP einen DDR5 Desktop-Memory mit Geschwindigkeiten von bis zu 8.200 MHz an. Wir haben uns das DDR5-8000 Kit mit 32 GB im Test genauer angesehen.

SanDisk Professional G-RAID PROJECT 2
SanDisk Professional G-RAID PROJECT 2
G-RAID PROJECT 2 48 TB

Das G-RAID PROJECT 2 ist ein 2-Bay Storage-System für Profis und bietet eine Thunderbolt-Schnittstelle inkl. hoher Speicherkapazitäten. Wir haben das 48-TB-Modell getestet.